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ROHM开发出SiC肖特基势垒二极管SC

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来源: 作者: 2019-05-17 00:38:18

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全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称 SiC-SBD ) SCS3系列 。

封装

本产品采取新结构,不但继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2(VF=1.35V、25℃)的特性,同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此,还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路,非常有助于提高运用的效率。

本产品已于2016年3月开始出售样品,计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地马向阳下乡记拍摄地涌泉村备战十一游
为ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。

今后,ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容,继续为电力电子设备的节能化作出贡献。

<背景>

近年来,在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域,为提高功率转换效力以实现进一步节能,更高效力的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比,具有优良的材料特性,在这些领域中的运用日趋广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效力的设备电源中,SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效力。在这些用处中,抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以降息缓解企业财务压力为实体经济创造良好宏
来,ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围,ROHM 采取新产品结构,成功开发出保持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

<特点>

1. 保持低VF特性,实现高抗浪涌电流能力

此次开发的第3代SiC-SBD SCS3系列 ,为实现高抗浪涌电流能力,采用了JBS(Junction Barrier schottky)结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结晋阳古城遗址疑似发现北朝和隋晋阳宫城所在
构,而ROHM的第3代最新产品,不但具有以往产品的特点,而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性,将作为更高性能的产品大展身手。

2. 实现业界最低的正向电压(VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃)

ROHM的第2代SiC-SBD,通过改善工艺和产品结构,实现了业界最低的正向电压。在高温条件下,本产品的VF值比第2代产品更低,导通损耗更低,效率更高。

3. 低泄漏电流特性

一般情况下,下降正向电压会导致反向漏电流增加,而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品采用JBS结构,成功减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比,低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。

<产品阵容>

TO-220ACP封装的产品阵容扩大中。另外,在此基础上还将逐步扩大TO-263AB(表面贴装型)封装的产品阵容。

<运用>

计算机、服务器、空调等高端电源设备内的PFC电路

<术语解说>

※1 PFC电路 (Power Factor Correction)

将电源产生的高次谐波电流控制在某范围以内,抑制峰值电流以期进一步节能的电路。

※2 正向电压(VF)

电从+向-流动时产生的电压下落。该值越低越有助于效力提升。

※3 浪涌电流

雷击等致使的电源电路等瞬间产生的超出常态的电流。

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